3D NAND闪存市场规模、市场占有率、趋势分析报告、各产品、各技术、区域展望、竞争策略及部门预测

全球3D NAND闪存市场预计将在预测期内显著增长。3D NAND Flash是一种闪存，它涉及到将存储单元堆叠在一起，以在较小的物理空间中提供更高的容量/体积比。它通过缩短电池之间的互连长度来最大限度地提高电能效率。三星3D V-NAND是首款3D NAND闪存芯片。垂直堆叠的单元层利用了电荷陷阱闪存(CTF)技术，使其能够在一个芯片上提供高达128 GB的内存。它的写性能是二维NAND的两倍，可扩展性是二维NAND的两倍，可靠性是平面NAND的十倍，从而提高了笔记本电脑、智能手机和平板电脑的性能和稳定性。3D NAND芯片也被用于固态驱动器（SSD）因为它们具有没有电源的挡土数据的特性。3D NAND的制造过程比RRAM所需的替代技术更复杂，因为它需要用于生产NAND的相同材料，而FRAM，MRAM和RRAM，以及其他材料要求新材料并不熟悉和理解。此外，它们还包含在广泛的消费电子产品和企业应用中。

主要智能手机制造商主要在高性能的基础上竞争。快速涌入智能手机,片剂,而市场上的笔记本电脑预计将成为这个行业的关键驱动力。笔记本制造商已经开始在他们提供的一些高端笔记本电脑中集成这种技术。对提供大存储空间的数据存储设备的需求增加，预计将推动3D NAND闪存市场的发展。在编程、监控、游戏和各种关键领域，对高性能计算机的日益增长的需求将进一步推动这个3D NAND闪存市场的增长。从高端企业市场开始，V-NAND技术有望逐步取代平面NAND市场。这些芯片的制造过程中所涉及的一些挑战包括:垂直互连单元阵列的构建、高层多层结构的构建以及在整个晶圆上安装均匀厚度的层。此外，设备中的每一层都必须被一层绝缘层包围。

行业参与者包括美光科技公司、三星电子公司、英特尔公司、SK海力士公司、SanDisk公司和东芝公司等。东芝和晟碟正计划通过开发一个新的晶圆工厂，开始建立3D NAND。3D NAND芯片有望制造出能够存储1TB数据的嵌入式闪存。