对能源效率的不断增长的需求和对可再生能源的日益关注预计将成为IGBT和超级结MOSFET市场的关键驱动力。电力传输效率的需求导致了改进电力电子设计的需求,推动了IGBT和超级结MOSFET市场。在预测期内,多个组织的绿色IT计划将抑制电力损失并保护环境,这将推动市场的发展。
全球IGBT和超级枢纽MOSFET产品(亿美元),2012年 - 2020年
高替换需求和数据中心市场的积极发展预计将推动IGBT和超级结MOSFET市场需求。为了满足排放标准和减少碳足迹,人们已经开始转向使用电动汽车(EV)和混合动力电动汽车(HEV)。由于这一趋势有望推动IGBT和超级结MOSFET的采用,预计在预测期内将对全球市场产生有利影响。替代品的可用性,包括化合物半导体材料,如碳化硅和氮化镓(GaN),可能会抑制市场增长。
关键部分包括离散产品和模块。离散IGBT广泛应用于消费电子和大功率应用领域。IGBT预计将继续见证风能和太阳能发电、通用逆变器和高频应用的普及。电源适配器的小型化预计将推动超级结MOSFET市场。离散产品增长可归因于电源应用需求。超结MOSFET模块有望在逆变器领域获得市场份额。
主要部分包括转换器或适配器,消费者,光伏逆变器,工业,不间断电源(UPS),电机驱动器和EV / HEV应用。适配器或充电器需求可以记入越来越多的智能手机,平板电脑和相关设备。预计电气和混合动力电动汽车将在未来六年内获得市场份额,主要是由于IGBT和超接联MOSFET促进了大量功能。这些包括信息娱乐,HVAC,电动转向以及照明。受控电机驱动系统需求预计将在未来六年内燃料在电机驱动器领域的市场。
预计亚太区将仍然是预测期内最大的区域IGBT和超级交联MOSFET市场。预计日本,印度和中国等国家的大植物的存在将有利于太阳能部门。亚太地区汽车和光伏逆变器生产的开发也预计未来六年将燃料采用。此外,估计高速列车网络扩展以导致功率半导体的高需求。在美国的风力涡轮机安装增加,预计会对北美市场产生积极影响。预计电机驱动器,HEV和工业应用将成为北美IGBT市场的关键段。
英飞凌科技、三菱电机和富士电机是IGBT市场的主要运营公司。为巩固全球市场份额和扩大新兴和成熟区域市场而进行的并购是行业参与者采取的关键战略之一。跨组织的垂直整合也是主要的战略计划之一。超结MOSFET市场高度巩固,2013年英飞凌和意法半导体占据了大部分市场份额。