Magneto电阻RAM（MRAM）按类型（消费电子，机器人，汽车，企业存储，航空航天），区域和分部预测，通过应用（消费电子，机器人，汽车，企业存储，航空航天预测）的市场分析（MRAM）的市场分析

报告概述

全球磁电阻RAM（MRAM）市场规模在2016年的300750万美元估价，并被推定为在预测期内获得牵引力。预计对可穿戴物品和灵活的电子产品需求的需求日益增长为这一部门的增长。这些电子产品需要灵活的磁存储器来处理和存储数据。

亚太地区磁阻RAM (MRAM)市场，按类型划分，2014 - 2025(百万美元)

与传统的NAND相比，MRAM的性能更好，速度更快，能耗更低，即使在没有电源的情况下也能保存数据。与dram和sram相比，这些存储器提供了巨大的增长空间，并具有快速读写能力。

在未来几年，全球市场预计会遇到加速增长率，因为它具有取代闪存和其他电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）的潜力。

由于他们在企业，消费电子，机器人，航空航天和国防和工业部门等各种应用中使用，预计新产品的引入预计将为增长提供增长的机会。预计旋转隧道扭矩MRAM（STT）产品有助于大多数市场的增长。

类型见解爱游戏ayx电子竞技

第二代STT在2015年占据了重大的市场份额。由于其支持各种应用的能力，预计这项技术仍然是首选。此外，预计垂直磁隧道交界处（TMJ）STT将为该行业提供重大贡献。该技术将在2017年推出，由Everspin Technologies，Inc。拨动型技术的市场规模预计将达到2025年的1,197.5百万美元。

STT技术市场预计将在2017年占据主导地位，并有望在预测期内保持主导地位。该市场预计将从2016年的1.889亿美元增长到2025年的36.064亿美元。由于STT技术的高续航特性，DRAM技术有望很快达到极限并被取代。各种市场参与者正在努力实现这种替代;例如，美光(Micron)正计划在2018年前推出STT-MRAM，这是一种dram的替代产品。

应用洞察爱游戏ayx电子竞技

预计企业存储申请很快将获得牵引力。预计该市场将达到2025年的价值1,227.0百万美元。据估计，此申请部门估计增长，因为MRAM使用比闪存的功率更低。较低的功耗使企业存储应用程序能够运行效率。

北美磁阻RAM (MRAM)市场，各应用，2015 (%)

在预测期内，估计航空航天和国防工业的磁阻随机存取内存技术估计增长37.6％。这可以归因于该技术的高温耐力，使其成为最有利的选择。此外，由于其更快的阅读和写作功能，这项技术最适合消费电子应用，但是与设计此类设备的高成本限制了消费电子应用的增长。

区域的见解爱游戏ayx电子竞技

2015年，北美地区以超过36%的收入份额占据市场主导地位。这种优势可以归因于主要参与者的存在，以及该地区不断增加的研发活动。

此外，预计需要满足不断增长的需求，以实现更好的计算，更好的可扩展性和较小的功耗，预计需要促进磁阻随机存取存储器设备的生长。

由于数据中心基础设施的改善和进步，亚太地区预计将出现在未来九年内的增长最快的地区。通过增加云计算和互联网的使用。此外，市场对可穿戴电子产品和手机的销售有高增长机会。由于其低成本的劳动力和原材料可用性，亚太地区拥有几家内存制造商和铸造服务提供商。

主要公司与市场份额见解爱游戏ayx电子竞技

主导市场的主要供应商包括Avalanche Technology, Inc.， Everspin Technologies, Inc.， Honeywell International, Inc.， Intel Corporation, NVE Corporation, Qualcomm, Inc.， Samsung Electronics Co. Ltd.， Spin Transfer Technologies, Toshiba Corporation, Crocus Nano Electronics LLC等。

这些球员越来越关注开发新产品和创新，成为技术的先驱并主导市场。此外，在这个市场上观察到伙伴关系和合作趋势。例如，2016年9月，Avalanche Technology，Inc。与索尼半导体制造公司同意，在300mm晶圆上初始化雪崩的STT-MRAM的生产。这种伙伴关系旨在帮助雪崩采用垂直磁隧道结 - 基于STT技术。

2014年，Everspin Technologies，Inc。与MRAM Technologies的全球原位订立了一项生产协议。在这种伙伴关系下，前者负责独立芯片应用，而后者负责使用PMTJ STT技术的嵌入式MRAM应用的开发。

Magneto电阻RAM（MRAM）市场报告范围

报告的属性	细节
2020年的市场大小值	8.925亿美元
2025年收入预测	4803 .9亿美元
增长速度	2018年至2025年的CAGR 35.7％
基准年估计	2015
历史数据	2014 - 2015年
预测期	2018 - 2025
量单位	2018年至2025年，年复合增长率为100万美元
报告报告	收入预测，公司排名，竞争格局，增长因素和趋势
部分覆盖	类型、应用程序和地区。
区域范围	北美;欧洲;亚太地区;拉美;和mea.
国家范围	美国;加拿大;德国;英国;印度;日本;中国;和巴西
关键的公司介绍	雪崩科技有限公司;Everspin技术有限公司;霍尼韦尔国际公司;英特尔公司;NVE公司;高通公司。三星电子有限公司;自旋转移技术;东芝公司;Crocus纳米电子有限公司
自定义范围	免费报表定制(相当于8个分析师工作日)。国家、地区和部门范围的增加或变更。
定价和购买选项	使用定制购买选项，以满足您的确切研究需求。探索购买选择

报告中涵盖的段

本报告预测全球，地区和国家层面的收入增长，并在2014年至2025年的每个子部分的行业趋势进行了分析。对于本研究，宏伟的视野研究已经基于类型分配了全球MRAM市场，应用程序和区域：

• 类型展望(收入，百万美元;2014 - 2025年)

  • 切换MRAM

  • 旋转转移扭矩MRAM（STT-MRAM）

• 申请前景（收入，百万; 2014 - 2025）

  • 消费电子产品

  • 机器人

  • 汽车

  • 企业存储

  • 航空航天和国防

  • 其他人

• 区域前景（收入，百万; 2014 - 2025）

  • 北美

  • 欧洲

    • 俄罗斯

  • 亚太地区

  • 排