非易失性存储器市场规模，股票和趋势分析通过申请，通过应用程序，通过内存类型，区域前景，竞争战略和分部预测，2019年至2025年

由于其越来越多的应用程序，如医疗保健和军事等，预计全球非易失性的内存市场将增长这种记忆越来越多地用于数据中心等关键应用，因为它们可以在没有连续电源的情况下存储。非易失性存储器主要用于长期二级存储。增加储存能力的技术进步预计会对市场增长产生积极影响。

期望上升的申请基础将在预测期间推动非易失性的内存市场。估计使用非易失性存储器更换传统存储，以提供市场增长的途径。此外，还预期诸如有效的功耗，高耐久性和更快的切换时间等优势，以支持市场增长。昂贵的新兴技术和低存储密度和容量可能会阻碍未来六年的市场增长。灵活的电子设备的可用性可以为市场提供新的增长机会。

市场可以在应用程序，内存类型和产品的基础上进行分割。行业广泛使用的各种存储器类型包括电阻式RAM（RERAM），旋转转移转矩RAM，相变存储器（PCM），铁电RAM（FRAM），NAND闪存，可擦除可编程只读存储器（EPROM）和EEPROM。NAND闪存具有高容量和低成本。CRAM和STT-RAM预计将成为预测期的关键技术。非易失性存储器用于各种应用，包括工业，运输，能源和权力，消费电子，医疗保健和军事等。产品部分包括智能卡，USB驱动器和硬盘等。

非易失性的内存市场中的几名玩家是Avalanche Technology，Cypress Semiconduction Corporation，Crossbar Inc.，Fujitsu Limited，Micron Technology Inc.，SK Hynix Inc，Toshiba Corporation，Everspin Technologies Inc.，英飞凌科技AG，三星电子，Viking Technologies Ag，三星电子技术和德州仪器合并。2013年11月，富士通介绍了4-MBIT FRAM在医疗，打印机和工业设计中替代SRAM的非易失性记忆，这是一种无电池解决方案，预计将降低系统的所有权和开发成本。